发明名称 REFLECTION TYPE MASK BLANK REFLECTION TYPE MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要 <p>기판과, 상기 기판 상에 형성된, 고굴절률층과 저굴절률층을 교대로 적층시킨 구조의 다층 반사막과, 상기 다층 반사막 상에 적층된 EUV 노광광을 흡수하는 흡수막을 구비하는 반사형 마스크 블랭크이다. 상기 흡수막은, 층 내를 통과하여 상기 다층 반사막에서 반사되는 EUV 노광광에, 직접 입사하여 상기 다층 반사막에서 반사되는 EUV 노광광에 대하여 소정의 위상차를 발생시키는 위상 시프트층과, 상기 위상 시프트층 상에 적층되며, 단독으로 또는 상기 위상 시프트층과 함께, 층 내를 통과하는 EUV 노광광을 흡수하여 감쇠시키는 흡수체층을 구비한다.</p>
申请公布号 KR101581977(B1) 申请公布日期 2015.12.31
申请号 KR20107024361 申请日期 2009.03.24
申请人 호야 가부시키가이샤 发明人 쇼끼, 쯔또무
分类号 G03F1/00;G03F1/52;H01L21/027 主分类号 G03F1/00
代理机构 代理人
主权项
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