发明名称 |
CMOS感光元件及制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种CMOS感光元件及制备方法,本发明通过在感光二极管层的上方形成了一布拉格反射镜,可有效地使光线在感光二极管层与布拉格反射镜之间进行反射,从而提高感光二极管层对光线的吸收效率,同时由于本发明提供的反射镜为布拉格反射镜,可有效的将感光二极管层反射回来的光线再次反射回去,进而进一步提高感光二极管层对光线的吸收效率。采用本发明所提供的CMOS感光元件,能够对于波长范围在600~750nm之间的红光感光效率,可从现有技术对红光光波的吸收效率能提高20%~30%,同时对于其他波长的光线,则影响较小,可以极大提升CMOS感光元件输出的图像质量。 |
申请公布号 |
CN105206630A |
申请公布日期 |
2015.12.30 |
申请号 |
CN201410273932.3 |
申请日期 |
2014.06.18 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
李程;吴敏;杨渝书;秦伟;高慧慧 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
吴俊 |
主权项 |
一种CMOS感光元件,其特征在于,所述CMOS感光元件包括一衬底,所述衬底中设置有PD层,位于该衬底顶部设置有一ILD层,在所述ILD层中设置有一反射镜,以提高所述CMOS感光元件对特定光波的感光效率。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |