| 发明名称 | 一种应用于无源UHFRFID标签芯片的低功耗基准电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种应用于无源UHFRFID标签芯片的低功耗基准电路，由正温度系数电流电路、负温度系数电流电路和基准电压输出电路组成，所述正温度系数电流电路用于产生正温度系数电流I<sub>+</sub>；所述负温度系数电流产生电路用于产生负温度系数电流I<sub>-</sub>；所述基准电压输出电路产生一个零温度系数的电压V<sub>ref</sub>。本发明具有能自启动、无差分运放、工作电压较低、功耗低的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN104111685B | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
| 申请号 | CN201410346930.2 | 申请日期 | 2014.07.21 |
| 申请人 | 中国人民解放军国防科学技术大学;湖南晟芯源微电子科技有限公司 | 发明人 | 郑礼辉;李建成;蔡磊;郭俊平;李松亭;王宏义;谷晓忱;郑黎明;李浩 |
| 分类号 | G05F1/56(2006.01)I | 主分类号 | G05F1/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人 | 胡伟华 |
| 主权项 | 一种应用于无源UHFRFID标签芯片的低功耗基准电路，其特征在于，由正温度系数电流电路、负温度系数电流产生电路和基准电压输出电路组成，所述正温度系数电流电路由第一PMOS管(101)、第二PMOS管(102)、第一NMOS管(103)、第二NMOS管(104)和第一电阻(105)组成，用于产生正温度系数电流I<sub>+</sub>；所述负温度系数电流产生电路，由第三PMOS管(106)、第五PMOS管(108)、第二NMOS管(104)、第三NMOS管(110)和第二电阻(111)组成，用于产生负温度系数电流I<sub>‑</sub>；所述基准电压输出电路，由第四PMOS管(107)、第六PMOS管(109)、第七PMOS管(112)和第三电阻(113)组成，其中第七PMOS管(112)分别与正温度系数电流电路中的第一PMOS管(101)、第二PMOS管(102)构成一组单管电流镜，并在由第七PMOS管(112)构成的一路电流镜上复制一路正温度系数电流I<sub>+</sub>；第四PMOS管(107)、第六PMOS管(109)则与负温度系数电流产生电路中的第三PMOS管(106)、第五PMOS管(108)构成一组共源共栅电流镜，并在由第四PMOS管(107)与第六PMOS管(109)构成的一路电流镜上复制一路负温度系数的电流I<sub>‑</sub>；第三电阻(113)则承载这两路电流的代数叠加为：I<sub>+</sub>+I<sub>‑</sub>，并且在其上产生一个零温度系数的电压V<sub>ref</sub>：<maths num="0001" id="cmaths0001"><img file="FDA0000769744470000011.GIF" wi="1003" he="186" /></maths>其中，n(＝1+C<sub>d</sub>/C<sub>ox</sub>)表示亚阈值斜率，V<sub>T</sub>＝(k<sub>B</sub>T/q)表示热电压，K<sub>103</sub>表示第一NMOS管(103)的宽长比，K<sub>104</sub>表示第二NMOS管(104)的宽长比，R<sub>105</sub>表示第一电阻(105)的阻值，R<sub>111</sub>表示第二电阻(111)的阻值，V<sub>GS104</sub>表示第二NMOS管(104)的栅源电压，α为单管电流镜中的第七PMOS管(112)与第一PMOS管(101)或第二PMOS管(102)的尺寸之比，β为第四PMOS管(107)与第三PMOS管(106)、或第六PMOS管(109)与第五PMOS管(108)的尺寸之比。 | ||
| 地址 | 410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号 | ||