基于BIST的3D SRAM中TSV开路测试方法

摘要

本发明公开了一种基于BIST的3D SRAM中TSV开路测试方法，步骤包括：确定每一种TSV开路故障的March元素；生成包含每一种TSV开路故障对应March元素的测试向量；通过BIST电路基于测试向量对3D SRAM的所有存储单元进行遍历式读写操作，当执行到某一种TSV开路故障对应的March元素时，如果某个测试地址X的读取结果与March元素中的期望测试数据不同，则判定与测试地址X相连的TSV有故障，进行错误标识并记录当前执行March元素对应的故障类型及TSV故障地址；完成所有存储单元的遍历式读写操作后，输出所有TSV故障信息。本发明能够在不使用TSV专用测试电路且不增加额外面积开销的情况下达到探测TSV开路故障的目的，具有电路设计复杂度低、测试效率高的优点。

主权项

一种基于BIST的3D SRAM中TSV开路测试方法，其特征在于步骤包括：1)确定3D SRAM中每一种TSV开路故障的March元素，所述March元素包括用于对存储单元进行遍历的升降序遍历方式及读写操作；2)生成包含每一种TSV开路故障对应March元素的测试向量；3)通过BIST电路基于所述测试向量从起始地址开始对3D SRAM的所有存储单元进行遍历式读写操作，当执行到某一种TSV开路故障对应的March元素时，如果某个测试地址X的读取结果与March元素中的期望测试数据不相同，则判定与测试地址X相连的TSV有故障，针对发生故障的TSV进行错误标识并记录当前执行March元素对应的故障类型及TSV故障地址；当完成所有存储单元的遍历式读写操作后，跳转执行下一步；4)输出所有发生故障的TSV的故障信息。