用于处理半导体晶片的方法

摘要

本公开涉及用于处理半导体晶片的方法。通过经由第二侧将第一粒子注入到半导体晶片中以在半导体晶片中形成晶体缺陷，来处理磁性提拉法半导体晶片，磁性提拉法半导体晶片具有在第一垂直方向上彼此远离布置的第一侧和第二侧。晶体缺陷在第一深度处具有最大缺陷浓度。在第一热工艺中对半导体晶片进行加热，以形成辐射引发施主。选择注入能量和剂量，使得半导体晶片在第一热工艺之后具有布置在第二侧与第一深度之间的n掺杂半导体区域，并且n掺杂半导体区域在第一垂直方向上具有在第一深度与第二侧之间的净掺杂浓度的局部最大值和在第一深度与第一最大值之间的净掺杂浓度的局部最小值。

主权项

一种用于处理半导体晶片的方法，所述方法包括：提供磁性提拉法半导体晶片，所述磁性提拉法半导体晶片具有第一侧和与所述第一侧相反的第二侧，所述第一侧在第一垂直方向上远离所述第二侧而布置；经由所述第二侧将粒子注入到所述半导体晶片中，以在所述半导体晶片中形成晶体缺陷，所述晶体缺陷在第一深度处具有最大缺陷浓度；以及在第一热工艺中对所述半导体晶片进行加热，以形成辐射引发施主，其中选择用于注入所述粒子的注入能量和注入剂量，使得所述半导体晶片在产生所述辐射引发施主之后具有布置在所述第二侧与所述第一深度之间的n掺杂半导体区域，并且使得所述n掺杂半导体区域在所述第一垂直方向上具有在所述第一深度与所述第二侧之间的净掺杂浓度的局部最大值和在所述第一深度与所述第一最大值之间的所述净掺杂浓度的局部最小值。