增加分栅快闪存储器控制栅高度的方法

摘要

本发明提出了一种增加分栅快闪存储器控制栅高度的方法，首先去除位于多晶硅表面的厚度不均匀的高压栅介质层，接着再多晶硅表面形成厚度较为均匀的介质层，使得后续刻蚀多晶硅时，多晶硅侧壁顶处附近的介质层能够不被刻蚀严重，从而能够对多晶硅侧壁进行保护，使形成的字线具有较高的凹陷高度，避免后续离子注入的穿透，提高器件性能。

主权项

一种增加分栅快闪存储器控制栅高度的方法，其特征在于，包括步骤：提供基片，所述基片上形成有多晶硅层、高压栅介质层及图案化的光阻，所述高压栅介质层形成在所述多晶硅层表面，所述图案化的光阻形成在所述高压栅介质层表面；刻蚀去除位于多晶硅层顶部及侧壁的所述高压栅介质层；去除所述图案化的光阻；在所述多晶硅层的顶部及侧壁形成均匀的介质层；使用光刻刻蚀所述多晶硅层形成字线。