| 发明名称 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上沉积形成应力缓冲层；在所述应力缓冲层上形成低k介电层。根据本发明的制作方法在低k或超低k介电层和刻蚀停止层之间形成应力缓冲层，提高了低k或超低k介电层和刻蚀停止层间的附着力，避免了剥离或者脱层问题的出现，进而提高了器件的性能和良率。 | ||
| 申请公布号 | CN105206562A | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
| 申请号 | CN201410272652.0 | 申请日期 | 2014.06.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 邓浩 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上沉积形成应力缓冲层；在所述应力缓冲层上形成低k介电层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||