4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法。其中，该场效应晶体管包括：4H-碳化硅SiC半绝缘衬底；覆盖在4H-SiC半绝缘衬底上的P型缓冲层，其中，P型缓冲层包括第一P型缓冲区、第二P型缓冲区和第三P型缓冲区且第二P型缓冲区形成于第一P型缓冲区与第三P型缓冲区之间；覆盖在P型缓冲层上的N型沟道层，并在N型沟道层表面的两侧形成有源极帽层和漏极帽层，其中，源极帽层表面形成有源极，漏极帽层表面形成有漏极；在N型沟道层上方且靠近源极帽层处形成栅电极。本发明解决了现有的4H-SiC金属半导体场效应晶体管电流不稳定且击穿电压低的技术问题。

主权项

一种4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：4H‑碳化硅SiC半绝缘衬底；覆盖在所述4H‑SiC半绝缘衬底上的P型缓冲层，其中，所述P型缓冲层包括第一P型缓冲区、第二P型缓冲区和第三P型缓冲区且所述第二P型缓冲区形成于所述第一P型缓冲区与所述第三P型缓冲区之间；覆盖在所述P型缓冲层上的N型沟道层，并在所述N型沟道层表面的两侧形成有源极帽层和漏极帽层，其中，所述源极帽层表面形成有源极，所述漏极帽层表面形成有漏极；在所述N型沟道层上方且靠近所述源极帽层处形成栅电极。