发明名称 一种超高密度LED显示器件及其制造方法
摘要 本发明公开了一种超高密度LED显示器件,包括基板以及封装于基板上的LED芯片阵列,芯片阵列包括若干均匀间隔排布的LED芯片。本发明采用扇出型晶圆级封装工艺(Fan-Out Wafer-Level Package,FOWLP),减小了封装面积,提高了LED显示屏的分辨率;各LED芯片为结构和发光波段相同的同种LED芯片,通过在LED芯片上利用芯片自身发光固化的方式分别涂敷红光、绿光和蓝光荧光粉,使其分别发红光、绿光以及蓝光,从而保证各LED芯片在使用过程中的光衰减一致,改善显示屏的显色性能;本发明可以实现像素点间距小于1mm乃至小于0.1mm,实现LED显示器件的高集成度、高分辨率、光色一致性更好等性能,在室内高密度显示屏、投影、可穿戴式显示器件方面有重要的应用。
申请公布号 CN105206642A 申请公布日期 2015.12.30
申请号 CN201510664592.1 申请日期 2015.10.13
申请人 南京大学 发明人 周玉刚;王小莉;张荣
分类号 H01L27/15(2006.01)I;G09F9/33(2006.01)I 主分类号 H01L27/15(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种超高密度LED显示器件,其特征在于此LED显示器件包含有复数个LED发光芯片,芯片上设有通过自身发光固化的方式涂敷的光转换材料。
地址 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号