| 发明名称 | 用于制备高K介质层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于制备高K介质层的方法，包括：提供半导体硅衬底；对半导体硅衬底执行高K介质层沉积之前的前清洗；生长SiO<sub>2</sub>层或SiON层；在SiO<sub>2</sub>层或SiON层沉积高k介质层；在高K介质层上沉积多晶硅或非晶硅覆盖层；高K介质层沉积之后执行后退火；湿法去除高K介质层表面的多晶硅或非晶硅覆盖层及多晶硅或非晶硅覆盖层上面的SiO<sub>2</sub>层或SiON层。 | ||
| 申请公布号 | CN105206523A | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
| 申请号 | CN201510662781.5 | 申请日期 | 2015.10.14 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 肖天金;康俊龙 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种用于制备高K介质层的方法，其特征在于包括：提供半导体硅衬底；对半导体硅衬底执行高K介质层沉积之前的前清洗；生长SiO<sub>2</sub>层或SiON层；在SiO<sub>2</sub>层或SiON层沉积高k介质层；在高K介质层上沉积多晶硅或非晶硅覆盖层；高K介质层沉积之后执行后退火；湿法去除高K介质层表面的多晶硅或非晶硅覆盖层及多晶硅或非晶硅覆盖层上面的SiO<sub>2</sub>层或SiON层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||