| 发明名称 | 一种制作闪存的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制作闪存的方法，包括提供半导体衬底，对所述半导体衬底执行阱注入工艺；在所述半导体衬底上形成栅极堆叠结构；执行注入工艺，以在所述半导体衬底中所述栅极堆叠结构的两侧形成源区和漏区。本发明的制作方法采用存储单元源漏区(CSD)的口袋注入工艺代替传统的栅极堆叠结构的阈值电压注入工艺，同时该制作方法利用硼离子和砷离子的不同热扩散速率来形成口袋掺杂轮廓，进而调整所述器件沟道的阈值电压。根据本发明的制作方法避免了热处理工艺对器件沟道掺杂轮廓的影响，减小了沟道电容从而减少了编程电压干扰(V<sub>pgm</sub> disturb)，最终提高了NAND闪存存储器的整体性能和良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN105206579A | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
| 申请号 | CN201410276470.0 | 申请日期 | 2014.06.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 曹恒;杨海玩;刘涛;周朝锋;仇圣棻 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种制作闪存的方法，包括：提供半导体衬底，对所述半导体衬底执行阱注入工艺；在所述半导体衬底上形成栅极堆叠结构；执行注入工艺，以在所述半导体衬底中所述栅极堆叠结构的两侧形成源区和漏区；其中，所述注入工艺包括口袋注入。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||