发明名称 |
生产半导体有机膜的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种生产半导体有机膜的方法,包括以下步骤:制备第一混合物,第一混合物包括摩尔质量小于或等于2000g.mol<sup>-1</sup>的p型第一有机半导体材料和摩尔质量小于或等于2000g.mol<sup>-1</sup>的n型第一有机半导体材料;将第二有机半导体材料添加到第一混合物中以形成第二混合物,该第二材料是摩尔质量大于或等于10000g.mol<sup>-1</sup>的聚合物;以及由第二混合物形成有机膜。 |
申请公布号 |
CN105206748A |
申请公布日期 |
2015.12.30 |
申请号 |
CN201510355289.3 |
申请日期 |
2015.06.24 |
申请人 |
阿尔莫 |
发明人 |
皮埃尔·让·伊夫·吉夏尔;克里斯托夫·德雷纳 |
分类号 |
H01L51/42(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;C08J7/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/42(2006.01)I |
代理机构 |
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 |
代理人 |
武晨燕;胡春光 |
主权项 |
一种用于生产半导体有机膜的生产方法,包括以下步骤:制备第一混合物,所述第一混合物包括摩尔质量小于或等于2000g.mol<sup>‑1</sup>的p型第一有机半导体材料和摩尔质量小于或等于2000g.mol<sup>‑1</sup>的n型第一有机半导体材料;将第二有机半导体材料添加到所述第一混合物中以形成第二混合物,所述第二材料是摩尔质量大于或等于10000g.mol<sup>‑1</sup>的聚合物;以及由所述第二混合物形成所述有机膜。 |
地址 |
法国南特 |