| 发明名称 | 一种超辐射发光二极管 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种超辐射发光二极管，包括壳体、壳体顶部的壳体盖和壳体内的半导体制冷器、热沉、透镜光纤、超辐射发光管芯、热敏电阻和探测器，所述热沉为置于所述半导体制冷器上的密封腔体，所述透镜光纤、所述超辐射发光管芯、所述热敏电阻和所述探测器均置于所述密封腔体内。本实用新型提供的超辐射发光二极管可降低热敏电阻和超辐射发光管芯受外界环境的影响，从而提高超辐射发光二极管的输出光谱稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN204927805U | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
| 申请号 | CN201520706524.2 | 申请日期 | 2015.09.11 |
| 申请人 | 国网智能电网研究院;国家电网公司;北京大学 | 发明人 | 刘占元;陈硕;王爱民;古丽娟 |
| 分类号 | H01S5/024(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/024(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人 | 徐国文 |
| 主权项 | 一种超辐射发光二极管，包括壳体、壳体顶部的壳体盖和壳体内的半导体制冷器、热沉、透镜光纤、超辐射发光管芯、热敏电阻和探测器，其特征在于：所述热沉为置于所述半导体制冷器上的密封腔体，所述透镜光纤、所述超辐射发光管芯、所述热敏电阻和所述探测器均置于所述密封腔体内。 | ||
| 地址 | 102211 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号（未来科技城） | ||