| 发明名称 | 用于使垂直全环栅器件中的载流子沟道应变的方法和结构 | ||
| 摘要 | 用于增强垂直全环栅器件中沟道性能的方法和结构，其提供了器件，该器件包括：源极区(140)；基本上垂直对齐于源极区的漏极区(190)；桥接在源极区和漏极区之间且限定基本上垂直的沟道方向的沟道结构(160)；以及垂直布置在源极区和漏极区之间且围绕沟道结构的栅极结构(170)。沟道结构包括彼此基本上并列垂直延伸的多个沟道(161)，每个沟道桥接源极区和漏极区，和插入每对相邻沟道之间且基本上沿着垂直沟道方向延伸的至少一个应力源(240)；应力源影响相邻沟道上的侧向应变，从而在垂直沟道方向上使沟道发生应变。本发明还涉及用于使垂直全环栅器件中的载流子沟道应变的方法和结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105206670A | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
| 申请号 | CN201510089654.0 | 申请日期 | 2015.02.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 大藤彻;吴俊鹏;蔡庆威 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：源极区；漏极区，基本上垂直对齐于所述源极区；沟道结构，桥接所述源极区和所述漏极区，所述沟道结构包括：至少一个沟道部分，限定基本上垂直的沟道方向；以及至少一个应力源，相邻于所述沟道部分设置且基本上沿着所述垂直沟道方向延伸；以及栅极结构，垂直布置在所述源极区和所述漏极区之间且围绕所述沟道结构；其中，所述应力源影响所述相邻沟道部分上的侧向应变，从而在所述垂直沟道方向上使所述沟道部分发生应变。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||