用纳秒脉冲激光退火制备纳米硅发光材料的方法及装置

摘要

本发明公开了一种用纳秒脉冲激光退火制备纳米硅发光材料的方法及装置。本发明采用在硅片上以纳秒脉冲激光退火方法制备纳米硅发光材料，由于光子作用样品来升温稳定性好、退火氛围好控制且操作灵敏特，可以进行精准的10秒到5分钟的快速退火，别适合快速退火要求；所用来退火的纳秒脉冲激光可以使样品温度保持到500K-1800K的需求点，获取很好的晶化条件；完全可以替代火炉退火的方式来制备纳米硅结构，所制备出2-5nm的硅量子点结构，在其结构上实现了光泵浦可见光区的强发光和电泵浦在光通信波段的发光，通过控制纳秒脉冲激光的脉冲宽度、光子强度、脉冲重复率、光子波长及作用时间等参量可以制备2-3nm、3-4nm与4-5nm尺度分布很窄的量子点结构。本发明简单易行，使用效果好。

主权项

一种用纳秒脉冲激光退火制备纳米硅发光材料的方法，其特征在于：在硅片上采用纳秒脉冲激光退火方法在硅片上制备出2‑5nm的硅量子点结构，在其结构上实现了光泵浦可见光区的强发光和电泵浦在光通信波段的发光。