双管芯的Trench MOSFET及其加工方法

摘要

本发明提供双管芯的Trench MOSFET及其加工方法，其中双管芯的Trench MOSFET包括N+衬底层，N+衬底层上设置有N-外延层，N-外延层左上部设置有第一P-body层，N-外延层右上部设置有第二P-body层，第一P-body层和第二P-body层之间为连续的N-外延层，第一P-body层内第一Trench槽，第二P-body层内设置有第二Trench槽，第一Trench槽贯穿第一P-body层，第二Trench槽贯穿第二P-body层，第一Trench槽和第二Trench槽内设置有Poly结构。本发明将两个MOSFET各自独立的Ring结构合并为一个Ring结构，在不影响产品性能的前提下，达到减少单颗MOS的面积，增加单片有效管芯数，降低成本的优点。

主权项

一种双管芯的Trench MOSFET，其特征在于：包括N+衬底层，N+衬底层上设置有N‑外延层，N‑外延层左上部设置有第一P‑body层，N‑外延层右上部设置有第二P‑body层，第一P‑body层和第二P‑body层之间为连续的N‑外延层，第一P‑body层内第一Trench槽，第二P‑body层内设置有第二Trench槽，第一Trench槽贯穿第一P‑body层，第二Trench槽贯穿第二P‑body层，第一Trench槽和第二Trench槽内设置有Poly结构，第一Trench槽左侧的P‑body层的上部设置有第一Drain区，第二Trench槽右侧的P‑body层的上部设置有第二Drain区，P‑body层、第一Trench槽和第二Trench槽上设置有介质层，介质层上左右两侧分别设置有第一Metal层和第二Metal层，第一Metal层穿过介质层与第一Drain区连接，第二Metal层穿过介质层与第二Drain区连接，第一Metal层和第二Metal层之间设置有第三Metal层。