发明名称 一种磁控溅射高阻隔膜及其生产工艺
摘要 本发明针对PVD法(溅射法)制备薄膜类气体阻隔薄膜易出现裂纹以及在此类材料使用过程中不耐折等问题进行改进,采用磁控共溅射真空等离子沉积技术在塑料表面制备陶瓷复合薄膜,开发出一种磁控溅射高阻隔膜的生产工艺,沉积复合薄膜后拉伸性能有较大变化,整体抗拉性能提高,且复合薄膜的耐折性能优异,高分子链段引入薄膜形成复合结构,可明显的改善其韧度,即使经过多次反复折叠,薄膜亦不会出现完全破裂裂纹,而是保持较高的阻隔能力。
申请公布号 CN105200380A 申请公布日期 2015.12.30
申请号 CN201510458523.5 申请日期 2015.07.30
申请人 宁波华丰包装有限公司 发明人 陈亦锋;鲁听;陈红央;劳梦斌;邹佳沣
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) 33239 代理人 胡小永
主权项 一种磁控溅射高阻隔膜的生产工艺,具体包括如下步骤:(1)基材制备:在塑料基材的阻隔薄膜层中引入有机高分子柔性链碎片;(2)清洗:将作为基材的薄膜输送经过充满酒精的清洗箱清洗;(3)吹干:薄膜从清洗箱输出,进入风机部吹干;(4)预溅射:基材进入预溅射真空箱,将基材接负电位,在靶面前设置活动挡板,避免基材遭到污染,利用辉光放电,气体离子对基材进行轰击实现溅射清洗,采用纯度为99.95%氩气进行溅射,溅射功率加大速率为1.5‑2.5W小时/平方厘米,溅射时间为200‑300秒;(5)缠绕滚筒表面:将经过预溅射的基材缠绕在滚筒表面固定;(6)开启真空系统:基材进入溅射真空室,真空室的真空度控制在3.5‑4.5×10‑4Pa;(7)通入溅射气体:通入纯度为99.95%的惰性气体,惰性气体为氩气,氩气气流量为50‑150sccm,工作气压控制为0.55‑0.9Pa;(8)开启射频电源:调节溅射靶至基材的距离为2‑3cm,滚筒旋转速度控制为1‑2.5m/分,溅射功率控制为5‑6W/平方厘米,溅射时间为10‑15分钟;(9)进行沉积:基材滚筒共旋转15‑18周,交替沉积每层厚度控制为6‑9nm;(10)分切,成品检验合格后,收卷,包装入库。
地址 315480 浙江省宁波市余姚工业园区纬五路106号