| 发明名称 | 半导体元件的清洗用液体组合物、和半导体元件的清洗方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于，提供半导体集成电路的制造工序中使用的、抑制低介电常数层间绝缘膜、钴或钴合金的损伤、且去除硬掩模、干法蚀刻残渣的半导体元件的清洗用液体组合物和使用其的半导体元件的清洗方法。本发明的半导体元件的清洗用液体组合物包含：过氧化氢10～30质量％、氢氧化钾0.005～0.7质量％、氨基多亚甲基膦酸0.00001～0.01质量％、选自胺类和唑类中的至少1种0.001～5质量％和水。通过使该清洗用液体组合物与半导体元件接触，从而可以清洗半导体元件。 | ||
| 申请公布号 | CN105210176A | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
| 申请号 | CN201580000662.1 | 申请日期 | 2015.03.31 |
| 申请人 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 发明人 | 岛田宪司 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;C11D7/10(2006.01)I;C11D7/18(2006.01)I;C11D7/32(2006.01)I;C11D7/36(2006.01)I;C11D17/08(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种清洗用液体组合物，其为在具备低介电常数层间绝缘膜、硬掩模、以及钴或钴合金的半导体元件中，抑制低介电常数层间绝缘膜、以及钴或钴合金的损伤、且去除硬掩模和干法蚀刻残渣的清洗用液体组合物，所述清洗用液体组合物包含：过氧化氢10～30质量％、氢氧化钾0.005～0.7质量％、氨基多亚甲基膦酸0.00001～0.01质量％、选自胺类和唑类中的至少1种0.001～5质量％以及水。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||