| 摘要 |
기판 관통 비아(TSV)들에 대한 스트레인 완화를 포함하는 반도체 다이가 기재된다. 반도체 다이는 활성면을 갖는 반도체 기판을 포함한다. 반도체 기판은 활성면에 접속되는 전도성층들을 포함한다. 반도체 다이는 기판을 통해서만 연장되는 기판 관통 비아를 또한 포함한다. 기판 관통 비아는, 기판 관통 비아의 길이에 걸쳐 실질적으로 일정한 직경을 포함할 수도 있다. 기판 관통 비아는 전도성 충진 재료로 충진될 수도 있다. 반도체 다이는 기판 관통 비아를 둘러싸는 분리층을 또한 포함한다. 분리층은 2개의 부분들, 즉, 전도성 충진 재료로부터의 응력을 완화시킬 수 있는 기판의 활성면에 가까운 리세스된 부분, 및 유전체 부분을 포함할 수도 있다. 리세스된 부분의 조성은 유전체 부분과 상이할 수도 있다. |
