| 发明名称 | 一种多孔硅的修饰方法及其作为生物传感器的用途 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多孔硅的修饰方法，其包括如下步骤：⑴通过电化学刻蚀方法制备多孔硅，刻蚀液为氢氟酸：无水乙醇体积比为3:1；⑵将步骤⑴得到的多孔硅进行烷氧基硅烷修饰；⑶将步骤⑵得到的烷氧基硅烷修饰的多孔硅与4-（二乙氨基）水杨醛反应，得到带有芳叔胺基团的多孔硅；⑷将步骤⑶得到的带有芳叔胺基团的多孔硅浸泡在离子交换水中，去除残存的有机物。 | ||
| 申请公布号 | CN103979543B | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
| 申请号 | CN201410192248.2 | 申请日期 | 2014.05.08 |
| 申请人 | 新疆大学 | 发明人 | 吕小毅;莫家庆;贾振红;张富春;李鹏 |
| 分类号 | C01B33/02(2006.01)I;G01N21/45(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人 | 牟彩萍 |
| 主权项 | 一种多孔硅的修饰方法，其包括如下步骤：⑴通过电化学刻蚀方法制备多孔硅，刻蚀液为氢氟酸：无水乙醇体积比为3:1；电流密度为600mA/cm<sup>2</sup>，蚀刻时间为20秒；⑵将步骤⑴得到的多孔硅进行烷氧基硅烷修饰；⑶将步骤⑵得到的烷氧基硅烷修饰的多孔硅与4‑（二乙氨基）水杨醛反应，得到带有芳叔胺基团的多孔硅；⑷将步骤⑶得到的带有芳叔胺基团的多孔硅浸泡在离子交换水中，去除残存的有机物；其中所述烷氧基硅烷为γ‑氨丙基三甲氧基硅烷或γ‑氨丙基三乙氧基硅烷。 | ||
| 地址 | 830046 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市天山区胜利路14号 | ||