发明名称 |
一种共享字线的分栅式闪存的失效分析方法及系统 |
摘要 |
本发明提供一种共享字线的分栅式闪存的失效分析方法及系统,不仅关注失效存储位单元本身,还将与失效存储位单元共享字线的同行同列存储位单元的影响、失效存储位单元所在字线(行)、位线(列和IO接口电路)以及控制栅极线的影响等考虑在内,根据失效存储位单元的功能验证及其相邻存储位单元的电流信息前后比对,确定出失效存储位单元的失效模式是自身缺陷引起的功能失效,还是与其共享字线的同行同列存储位单元和其所在的字线、位线以及IO接口电路等周围环境缺陷引起的失效,并给出其具体失效模式,整个分析过程可自动完成,无需专业人员在场,能节约人力资源与测试机时及提高失效分析效率和结论准确性。 |
申请公布号 |
CN105206304A |
申请公布日期 |
2015.12.30 |
申请号 |
CN201510579417.2 |
申请日期 |
2015.09.12 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
王哲献;江红;高超;张若成 |
分类号 |
G11C29/08(2006.01)I |
主分类号 |
G11C29/08(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅 |
主权项 |
一种共享字线的分栅式闪存的失效分析方法,其特征在于,包括以下步骤:自动收集所述共享字线的分栅式闪存中的一个失效存储位单元的物理地址周围的相邻存储位单元的初始电流信息,所述相邻存储位单元包括:与失效存储位单元共享字线的同行同列存储位单元,以及与失效存储位单元物理地址所在的字线最近邻的两条字线和与失效存储位单元物理地址所在的IO接口电路最近邻的两个IO接口电路所围区域中的存储位单元;自动遍历各种功能失效模式来对失效存储位单元进行功能失效验证,以分析出失效存储位单元的功能失效模式具体为哪种功能失效模式;在每种功能失效模式验证操作完成之后,均再次收集所述相邻存储位单元的电流信息,来与所述初始电流信息对比,以确定失效存储位单元的失效是本身的功失效或是某种周围环境引入的失效。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |