半导体器件的蜂窝布局

摘要

本发明题为半导体器件的蜂窝布局。一种制作在碳化硅(SiC)半导体层的表面的半导体器件单元的方法包括在SiC半导体层的表面之上形成半导体器件单元的分段源和体接触件(SSBC)。SSBC包括体接触件部分，其设置在半导体层的表面之上并且接近半导体器件单元的体接触件区，其中体接触件部分没有设置在半导体器件单元的中心之上。SSBC还包括源接触件部分，其设置在半导体层的表面之上并且接近半导体器件单元的源接触件区，其中至少一个源接触件部分仅部分包围SSBC的体接触件部分。

主权项

一种系统，包括：半导体器件单元，设置在碳化硅(SiC)半导体层的表面，其中所述半导体器件单元包括：　　漂移区，具有第一导电类型；　　阱区，具有第二导电类型，设置成与所述漂移区相邻；　　源区，具有所述第一导电类型，设置成与所述阱区相邻；　　沟道区，具有所述第二导电类型，设置成与所述源区相邻并且接近所述表面；以及　　体接触件区，具有所述第二导电类型，设置在所述阱区的一部分之上，其中所述体接触件区没有在所述半导体器件单元中居中；以及　　分段源和体接触件(SSBC)，设置在所述表面的一部分之上，其中所述SSBC包括：　　　　体接触件部分，设置在所述体接触件区之上；以及　　　　源接触件部分，设置成与所述体接触件区相邻并且在所述源区的一部分之上，其中所述源接触件部分没有由所述SSBC的所述体接触件部分完全包围。