| 发明名称 | 阳极场辅磁控溅射镀膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明属于物理气相沉积领域，公开了一种阳极场辅磁控溅射镀膜装置，该装置包括真空腔体、工件盘和至少两个由电源Ⅰ供电的磁控溅射靶，在相邻的磁控溅射靶之间设有由电源Ⅱ供电的水冷阳极，在真空腔体内形成闭环结构。本发明将等高的水冷阳极和磁控溅射靶复合，增强了离化率的同时提高了腔体等离子体均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN105200381A | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
| 申请号 | CN201510704469.8 | 申请日期 | 2015.10.27 |
| 申请人 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 发明人 | 张斌;张俊彦;高凯雄;强力;王健 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人 | 方晓佳 |
| 主权项 | 一种阳极场辅磁控溅射镀膜装置，包括真空腔体、工件盘（4）和至少两个由电源Ⅰ（3）供电的磁控溅射靶（1），其特征在于在相邻的磁控溅射靶（1）之间设有由电源Ⅱ（5）供电的水冷阳极（2），在真空腔体内形成闭环结构。 | ||
| 地址 | 730000 甘肃省兰州市城关区天水中路18号 | ||