一种LED芯片光刻方法

摘要

本申请公开了LED芯片光刻方法，包括：将LED芯片在烘箱中，95度下烘烤5分钟；匀速转动LED芯片3～5秒；降低转速再匀速转动LED芯片1～2秒；在LED芯片上添加体积为V1的光刻胶，以转速为R1转动LED芯片时间T1进行匀胶；在LED芯片上添加体积为V2的光刻胶，以转速为R2转动LED芯片时间T2进行匀胶；在LED芯片上添加体积为V3的光刻胶，以转速为R3转动LED芯片时间T3进行匀胶，其中，V1>V2>V3，R1＜R2＜R3，且T1＞T2＞T3；将LED芯片在95度～105度下，热板软烤60秒～120秒；在曝光能量为80～120mj/cm2下曝光5-7秒；在105℃～110℃下硬烤80秒～100秒；用显影液显影50秒～70秒。本发明减少了LED芯片表面各处光刻胶厚度差异。

主权项

一种LED芯片光刻方法，其特征在于，该LED光刻方法包括：将LED芯片在烘箱中，95度下烘烤5分钟；匀速转动所述LED芯片3～5秒；降低转速再匀速转动所述LED芯片1～2秒；在所述LED芯片上添加体积为V1的光刻胶，以转速为R1转动所述LED芯片时间T1进行匀胶；在所述LED芯片上添加体积为V2的光刻胶，以转速为R2转动所述LED芯片时间T2进行匀胶；在所述LED芯片上添加体积为V3的光刻胶，以转速为R3转动所述LED芯片时间T3进行匀胶，其中，V1>V2>V3，R1＜R2＜R3，且T1＞T2＞T3；将所述LED芯片在95度～105度下，热板软烤60秒～120秒；在曝光能量为80～120mj/cm2下曝光5‑7秒；在105℃～110℃下硬烤80秒～100秒；用显影液显影50秒～70秒。