发明名称 MEMS器件及其制造方法
摘要 本发明提供了一种MEMS器件及其制造方法,该器件包括:基底;布线埋层,位于所述基底上,所述布线埋层图形化为一个或多个布线图形;牺牲层,位于所述基底上,所述牺牲层中具有空腔,所述布线图形的至少一部分位于所述空腔内;运动质量块层,所述运动质量块层的至少一部分由所述牺牲层支撑,所述运动质量块层包括位于所述空腔上方的运动质量块,所述运动质量块朝向所述空腔的表面具有向所述空腔突出的突点。本发明能够减小了运动质量块与布线图形、基底之间的接触面积,可以有效减少或防止粘连。
申请公布号 CN105197871A 申请公布日期 2015.12.30
申请号 CN201510703771.1 申请日期 2015.10.26
申请人 杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司 发明人 闻永祥;陈向东;刘琛;季锋
分类号 B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81B7/02(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 张振军
主权项 一种MEMS器件,其特征在于,包括:基底;布线埋层,位于所述基底上,所述布线埋层图形化为一个或多个布线图形;牺牲层,位于所述基底上,所述牺牲层中具有空腔,所述布线图形的至少一部分位于所述空腔内;运动质量块层,所述运动质量块层的至少一部分由所述牺牲层支撑,所述运动质量块层包括位于所述空腔上方的运动质量块,所述运动质量块朝向所述空腔的表面具有向所述空腔突出的突点。
地址 310012 浙江省杭州市黄姑山路4号