| 发明名称 | 互连结构的形成方法和半导体结构 | ||
| 摘要 | 一种互连结构的形成方法和一种半导体结构，所述互连结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层至衬底表面，在所述牺牲层内形成开口，所述开口暴露出部分衬底的表面；在所述开口底部的衬底上以及牺牲层上形成催化层；在所述催化层表面形成垂直于衬底表面的碳纳米管束；去除所述牺牲层、位于牺牲层上的催化层和碳纳米管束，保留位于所述开口内的碳纳米管束；形成覆盖所述衬底表面的第一介质层，所述第一介质层的表面与剩余的碳纳米管束的表面齐平；在所述第一介质层和碳纳米管束上形成第二介质层；在所述第二介质层内形成第二导电层，所述第二导电层与碳纳米管束顶部电连接。所述方法可以提高互连结构的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN105206561A | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
| 申请号 | CN201410230783.2 | 申请日期 | 2014.05.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 肖德元 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层至衬底表面，在所述牺牲层内形成开口，所述开口暴露出部分衬底的表面；在所述开口底部的衬底上以及牺牲层上形成催化层；在所述催化层表面形成垂直于衬底表面的碳纳米管束；去除所述牺牲层、位于牺牲层上的催化层和碳纳米管束，保留位于所述开口内的碳纳米管束；形成覆盖所述衬底表面的第一介质层，所述第一介质层的表面与剩余的碳纳米管束的表面齐平；在所述第一介质层和碳纳米管束上形成第二介质层；在所述第二介质层内形成第二导电层，所述第二导电层与碳纳米管束顶部电连接。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||