干式蚀刻装置及阵列基板干式蚀刻去除静电方法

摘要

本发明提供一种干式蚀刻装置，用于阵列基板的蚀刻，所述干式蚀刻装置包括机体、设于机体内的反应腔体、第一电极、第二电极及两个导接体，所述反应腔体包括顶壁及与顶壁相对设置的底壁，所述第一电极设于顶壁上，所述第二电极设于底壁上，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述导接体可相对所述反应腔体伸缩，所述导接体包括绝缘套及位于绝缘套内的导电体，所述导电体接地设置，本发明还公开了一种阵列基板干式蚀刻去除静电方法。

主权项

一种干式蚀刻装置，用于阵列基板的蚀刻，其特征在于，所述干式蚀刻装置包括机体、设于机体内的反应腔体、第一电极、第二电极及两个导接体，所述反应腔体包括顶壁及与顶壁相对设置的底壁，所述第一电极设于顶壁上，所述第二电极设于底壁上，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述两个导接体间隔设置且贯穿所述底壁及第二电极，所述导接体可相对所述反应腔体伸缩，所述导接体包括绝缘套及位于绝缘套内的导电体，所述导电体接地设置。