具有无损坏选择栅极的分离栅闪存结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种制造一对分离栅闪存单元的半导体结构的方法。在半导体衬底上形成间隔开的一对选择栅极；并且形成填充选择栅极之间的中心区的牺牲间隔件。沿着选择栅极的侧壁并且在牺牲间隔件和选择栅极的顶面上方共形地形成电荷捕获介电层；以及在电荷捕获介电层上方和横向邻接电荷捕获介电层的位置处形成对应于一对选择栅极的一对存储栅极。本发明还提供了形成的半导体结构。本发明涉及具有无损坏选择栅极的分离栅闪存结构及其制造方法。

主权项

一种集成电路(IC)，包括：分离栅闪存单元，所述IC包括：半导体衬底，包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；选择栅极，布置在所述半导体衬底上方，并且具有邻近所述第二源极/漏极区的外侧壁和邻近所述第一源极/漏极区的内侧壁；存储栅极，布置在所述第一源极/漏极区和所述选择栅极的内侧壁之间的半导体衬底上方，并且所述存储栅极的外侧壁邻近所述第一源极/漏极区且所述存储栅极的内侧壁邻近所述选择栅极的内侧壁；电荷捕获电介质，布置在所述存储栅极和所述选择栅极的内侧壁之间，并且布置在所述存储栅极下方；外围侧壁结构，布置在所述存储栅极的外侧壁和所述第一源极/漏极区之间的半导体衬底上方；以及中心侧壁结构，布置在所述选择栅极的外侧壁和所述第二源极/漏极区之间的半导体衬底上方，其中，布置在所述半导体衬底之上的所述中心侧壁结构的底面远高于所述外围侧壁结构的底面。