用于形成嵌入式锗硅源/漏结构的方法

摘要

本申请公开一种用于形成嵌入式锗硅源/漏结构的方法。该方法包括：提供前端器件结构，该前端器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上的栅极结构；在前端器件结构的表面上形成氧化层；在氧化层的表面上形成氮化硅膜，其中在栅极结构两侧具有包括氧化层和氮化硅膜的侧墙；进行光刻工艺，定义源极和漏极的位置；进行刻蚀工艺，在半导体衬底中要形成源极和漏极的位置形成凹陷区，其中在刻蚀工艺期间或者在刻蚀工艺完成之后对氧化层进行氮化以形成氮氧化硅覆盖层；在凹陷区中外延生长嵌入式锗硅；以及以嵌入式锗硅为基础进行离子注入形成源极和漏极。

主权项

一种用于形成嵌入式锗硅源/漏结构的方法，包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上的栅极结构；在所述前端器件结构的表面上形成氧化层；在氧化层的表面上形成氮化硅膜，其中在栅极结构两侧具有包括氧化层和氮化硅膜的侧墙；进行光刻工艺，定义源极和漏极的位置；进行刻蚀工艺，在半导体衬底中要形成源极和漏极的位置形成凹陷区，其中在刻蚀工艺期间或者在刻蚀工艺完成之后对氧化层进行氮化以形成氮氧化硅覆盖层；在凹陷区中外延生长嵌入式锗硅；以及以嵌入式锗硅为基础进行离子注入形成源极和漏极。