超级结布局结构

摘要

本实用新型主要是关于金属氧化物半导体场效应晶体管器件，更确切地说，是涉及到一种超级结布局结构，用于超级结型的金属氧化物半导体场效应晶体管器件的终端区结构，在终端区的拐角区域中布置有第二导电类型的柱状立柱阵列，在终端区的与其拐角区域相衔接的第一、第二周边区域和在有源区中均布置有第二导电类型的条状立柱，使拐角区域中第一导电类型掺杂物的电荷与第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡。

主权项

一种超级结布局结构，其特征在于，其中：第一导电类型的半导体层包括有源区和围绕在有源区外侧的终端区；在终端区的拐角区域中布置有第二导电类型的柱状立柱阵列；在终端区的与其拐角区域相衔接的第一、第二周边区域和在有源区中均布置有第二导电类型的条状立柱；第一周边区域和有源区中的多个条状立柱并排设置并沿第一方向延伸，第二周边区域中的多个条状立柱并排设置并沿着与第一方向垂直的第二方向延伸；使拐角区域中第一导电类型掺杂物的电荷与第二导电类型掺杂物的电荷相互平衡。