发明名称 一种高品质因数电感制造方法
摘要 本发明涉及一种高品质因数电感制造方法,包括以下步骤:提供一硅基板,在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板正面的掩膜层上形成腐蚀窗口;沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构;旋涂聚合物形成隔离层,该隔离层覆盖所述深坑结构并高出硅基板正面;在所述隔离层上形成第一层金属图形;在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化,形成暴露部分第一层金属图形的通孔;在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形;使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一层金属图形接触以形成电感。本发明采用湿法腐蚀工艺先腐蚀出深槽结构,然后旋涂并固化有机介质层,最后在深槽结构上制作电感线圈,从而抑制硅基板损耗,提高电感Q值。
申请公布号 CN105206542A 申请公布日期 2015.12.30
申请号 CN201510551281.4 申请日期 2015.09.01
申请人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 郑涛;罗乐;徐高卫;刘宇
分类号 H01L21/60(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 余明伟
主权项 一种高品质因数电感制造方法,其特征在于;该制造方法至少包括以下步骤:A.提供一硅基板,在所述硅基板正反两面沉积掩膜层后在该硅基板正面的掩膜层上形成腐蚀窗口;B.沿所述腐蚀窗口形成位于该硅基板内的深坑结构;C.旋涂聚合物形成隔离层,该隔离层覆盖所述深坑结构并高出硅基板正面;在所述隔离层上形成第一层金属图形;D.在步骤C之后获得的结构上旋涂介质层并图形化,形成暴露部分第一层金属图形的通孔;E.在步骤D之后获得的结构上形成第二层金属图形;使得部分第二层金属图形通过所述通孔与第一层金属图形接触以形成电感。
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
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