发明名称 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 본 발명의 목적은 샤워 헤드 중의 가스 가이드 상방의 공간에서도 부착물을 억제하는 데 있다.상기 과제를 해결하기 위해서 기판을 처리하는 처리실; 상기 처리실에 가스를 균일하게 공급하는 분산부를 포함하고 상기 처리실의 상방에 설치되는 버퍼실; 가스 공급 방향에 대하여 상류측에 처리 가스 공급부가 접속되고, 상기 버퍼실의 천정부에 설치되는 처리 가스 공급공; 가스 공급 방향에 대하여 상류측에 불활성 가스 공급부가 접속되고, 상기 천정부에 설치되는 불활성 가스 공급공; 상기 처리 가스 공급공측에 있는 기단부와, 상기 처리 가스 공급공보다 상기 불활성 가스 공급공 측에 있는 선단부와, 상기 기단부와 상기 선단부 사이를 잇는 판부를 포함하고, 상기 분산부와 상기 천정부 사이의 간극에 배치되는 가스 가이드; 상기 처리실의 분위기를 배기하고 상기 처리실의 하방에 설치되는 처리실 배기부; 상기 버퍼실에 접속되고 상기 버퍼실의 분위기를 배기하는 버퍼실 배기부; 및 적어도 상기 처리 가스 공급부, 상기 불활성 가스 공급부 및 상기 처리실 배기부를 제어하는 제어부;를 포함하되, 상기 제어부는 상기 처리 가스 공급공을 통하여 공급되는 상기 가스의 유량이 상기 불활성 가스 공급공을 통하여 공급되는 상기 불활성 가스의 유량보다 많게 하는 처리 가스 공급 공정을 실행하도록 상기 처리 가스 공급부 및 상기 불활성 가스 공급부를 제어하고, 상기 가스의 공급을 정지한 후 상기 불활성 가스 공급공을 통하여 공급되는 상기 불활성 가스의 공급량을 상기 처리 가스 공급 공정보다 많게 하면서 상기 버퍼실의 분위기를 배기하는 버퍼실 배기 공정을 실행하도록 상기 버퍼실 배기부 및 상기 불활성 가스 공급부를 제어하는 기판 처리 장치가 제공된다.
申请公布号 KR101580939(B1) 申请公布日期 2015.12.30
申请号 KR20140034839 申请日期 2014.03.25
申请人 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 发明人 야나이 히데히로;아시하라 히로시;사노 아츠시;타카사키 타다시
分类号 H01L21/02;H01L21/205 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
地址