一种掩模板和曝光系统

摘要

本实用新型提供一种掩模板和曝光系统。该掩模板包括第一区和第二区，第一区和第二区内均设置有多个图形化掩模，且第一区内多个图形化掩模的分布密度小于第二区内多个图形化掩模的分布密度；每个图形化掩模包括第一图形、第二图形和两图形之间的狭缝，第一区内的狭缝宽度大于第二区内的狭缝宽度。该掩模板能使透过第二区内狭缝的曝光光线的强度相对于透过第一区内狭缝的曝光光线的强度减小，从而使显示区和非显示区内的晶体管在经过源漏极曝光和显影后，保留在有源区膜层上的光刻胶的厚度趋于一致，进而确保通过刻蚀工艺后非显示区晶体管的有源区不会断开，最终确保非显示区的晶体管能够正常工作。

主权项

一种掩模板，包括透明基板，以及形成于透明基板表面的掩模图形；其中，所述掩模图形包括用于对应形成显示区内膜层图形的第一区和用于对应形成非显示区内膜层图形的第二区；所述第一区和所述第二区内均设置有多个图形化掩模，且所述第一区内图形化掩模的分布密度小于所述第二区内图形化掩模的分布密度；每个所述图形化掩模包括用于形成所述晶体管的源极的第一图形、用于形成所述晶体管的漏极的第二图形和夹设在所述第一图形和所述第二图形之间的狭缝，其特征在于，所述第一区内的所述狭缝的宽度大于所述第二区内的所述狭缝的宽度。