发明名称 气室
摘要 本发明提供一种气室,具有用于防止自旋极化衰减的涂层的最佳构造。气室具有:室主体,其具有通过内壁规定的内部空间;被封入在上述内部空间中的碱金属气体或者氢气;以及涂层,其通过具有长链状的分子构造的材料在上述内壁的至少一部分形成,超过形成上述涂层的分子的半数的分子相对于上述内壁垂直定向。
申请公布号 CN105207674A 申请公布日期 2015.12.30
申请号 CN201510330630.X 申请日期 2015.06.15
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 长坂公夫
分类号 H03L7/26(2006.01)I;G01R33/26(2006.01)I 主分类号 H03L7/26(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 李洋;尹文会
主权项 一种气室,其特征在于,具有:室主体,其具有通过内壁规定的内部空间;被封入在所述内部空间中的碱金属气体或者氢气;以及涂层,其由具有长链状的分子构造的材料在所述内壁的至少一部分形成,超过形成所述涂层的分子的半数的分子相对于所述内壁垂直定向。
地址 日本东京都
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