发明名称 | 气室 | ||
摘要 | 本发明提供一种气室,具有用于防止自旋极化衰减的涂层的最佳构造。气室具有:室主体,其具有通过内壁规定的内部空间;被封入在上述内部空间中的碱金属气体或者氢气;以及涂层,其通过具有长链状的分子构造的材料在上述内壁的至少一部分形成,超过形成上述涂层的分子的半数的分子相对于上述内壁垂直定向。 | ||
申请公布号 | CN105207674A | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
申请号 | CN201510330630.X | 申请日期 | 2015.06.15 |
申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 长坂公夫 |
分类号 | H03L7/26(2006.01)I;G01R33/26(2006.01)I | 主分类号 | H03L7/26(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李洋;尹文会 |
主权项 | 一种气室,其特征在于,具有:室主体,其具有通过内壁规定的内部空间;被封入在所述内部空间中的碱金属气体或者氢气;以及涂层,其由具有长链状的分子构造的材料在所述内壁的至少一部分形成,超过形成所述涂层的分子的半数的分子相对于所述内壁垂直定向。 | ||
地址 | 日本东京都 |