发明名称 | 氢气气敏材料及其制备以及氢气气敏器件的制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种氢气气敏材料及其制备方法以及氢气气敏器件的制备方法,所述氢气气敏材料包括:Ⅰ)基质SnO<sub>2</sub>纳米粉体;Ⅱ)Rh<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,其掺入量为基质SnO<sub>2</sub>纳米粉体质量的0.1-5%。其制备方法为:1)向SnCl<sub>4</sub>·5H<sub>2</sub>O的水溶液中加入葡萄糖,混合均匀得到混合溶液,将混合溶液转移至水热反应釜中反应,随后将反应产物离心分离并洗涤、干燥后烧结得到基质珊瑚状SnO<sub>2</sub>纳米粉体;2)向珊瑚状SnO<sub>2</sub>纳米粉体加入可溶性含Rh化合物的乙醇溶液,精细研磨直至乙醇完全挥发得氢气气敏坯料,再经后续退火处理得到氢气气敏材料。本发明提供的氢气气敏材料对氢气灵敏度高,选择性好,响应时间短,符合氢气气敏器件的要求。 | ||
申请公布号 | CN105203601A | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
申请号 | CN201510732765.9 | 申请日期 | 2015.10.31 |
申请人 | 武汉工程大学 | 发明人 | 林志东;洪玉元;孟柱;付萍;王学华 |
分类号 | G01N27/12(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/12(2006.01)I |
代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人 | 崔友明 |
主权项 | 一种氢气气敏材料,其特征在于包括有:Ⅰ)基质SnO<sub>2</sub>纳米粉体;Ⅱ)Rh<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,其掺入量为基质SnO<sub>2</sub>纳米粉体质量的0.1‑5%。 | ||
地址 | 430074 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号 |