发明名称 表面包覆MnO<sub>2</sub>和Au纳米颗粒的三维石墨烯基复合电极、制备方法和应用
摘要 本发明公开了一种表面包覆MnO<sub>2</sub>和Au纳米颗粒的三维石墨烯基复合电极,以三维多孔泡沫镍为基体,基体上直接生长石墨烯,所述的石墨烯上直接生长花状δ-MnO<sub>2</sub>,花状δ-MnO<sub>2</sub>上再负载纳米Au颗粒。本发明还公开了所述的表面包覆花状δ-MnO<sub>2</sub>和Au纳米颗粒的三维石墨烯基复合电极的制备方法和应用。制备工艺简单、成本低、周期短、能耗低等优点,适合大规模工业化生产;制备的三维石墨烯基复合电极不含任何导电剂和粘结剂,由于特殊的三维多孔结构以及花状δ-MnO<sub>2</sub>、纳米Au颗粒和石墨烯的协同催化作用,将所述的三维石墨烯基复合电极用作锂-空电池正极时,显示出低的极化和较好的循环稳定性。
申请公布号 CN103840179B 申请公布日期 2015.12.30
申请号 CN201410068686.8 申请日期 2014.02.27
申请人 浙江大学 发明人 谢健;刘双宇;曹高劭;赵新兵
分类号 H01M4/96(2006.01)I;H01M4/88(2006.01)I;H01M12/08(2006.01)I 主分类号 H01M4/96(2006.01)I
代理机构 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人 胡红娟
主权项 一种表面包覆花状δ‑MnO<sub>2</sub>和Au纳米颗粒的三维石墨烯基复合电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)以三维多孔泡沫镍为基体,通过化学气相沉积法,直接在基体上生长石墨烯,记为Ni/3D‑G;2)将KMnO<sub>4</sub>和浓H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>溶于去离子水,搅拌均匀得到混合溶液,所述混合溶液中K<sup>+</sup>浓度为0.005~0.02mol/L;将步骤1)得到的Ni/3D‑G浸入混合溶液,经70~120℃水热反应1~5h,再经洗涤、干燥后得到负载有锰的氢氧化物的Ni/3D‑G;所述浓H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>与KMnO<sub>4</sub>的摩尔比为0.25~1.0;3)氩气气氛下,将步骤2)得到的负载有锰的氢氧化物的Ni/3D‑G在200~500℃下焙烧1~4h,冷却后得到Ni/3D‑G/δ‑MnO<sub>2</sub>;4)将含金的可溶性化合物与水混合,得到浓度为1~10mmol/L的溶液A,将步骤3)得到的Ni/3D‑G/δ‑MnO<sub>2</sub>浸入所述的溶液A中,浸泡10~24h后,再经洗涤、干燥得到所述的表面包覆花状δ‑MnO<sub>2</sub>和Au纳米颗粒的三维石墨烯基复合电极;所述的表面包覆花状δ‑MnO<sub>2</sub>和Au纳米颗粒的三维石墨烯基复合电极以三维多孔泡沫镍为基体,基体上直接生长石墨烯,所述的石墨烯上直接生长花状δ‑MnO<sub>2</sub>,花状δ‑MnO<sub>2</sub>上再负载纳米Au颗粒。
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