发明名称 成膜装置和成膜方法
摘要 本发明提供一种成膜装置和成膜方法,该成膜装置用于在形成于真空容器内的真空气氛中在载置在台上的基板的表面上层叠氧化物的分子层而形成薄膜,其中,该成膜装置包括:旋转机构;原料气体供给部;处理空间形成构件,其形成处理空间;气氛气体供给部;能量供给部,其用于通过向所述臭氧气氛供给能量来使所述臭氧强制地分解而产生氧的活性种,利用该活性种来使吸附在所述基板的表面上的原料氧化而获得所述氧化物;缓冲区域,其缓和所述臭氧的分解所导致的所述处理空间内的压力上升;以及划分机构,其用于在向所述处理空间供给所述气氛气体时将所述缓冲区域与该处理空间划分开,并在产生所述臭氧的分解时使所述缓冲区域与所述处理空间相连通。
申请公布号 CN105200393A 申请公布日期 2015.12.30
申请号 CN201510333848.0 申请日期 2015.06.16
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 矢部和雄;清水亮
分类号 C23C16/40(2006.01)I 主分类号 C23C16/40(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;张会华
主权项 一种成膜装置,其用于在形成于真空容器内的真空气氛中在载置在台上的基板的表面上层叠氧化物的分子层而形成薄膜,其中,该成膜装置包括:旋转机构,其用于使该台相对于沿所述台的周向配置在所述台之上的第1区域和第2区域进行旋转,而使所述基板交替地重复位于所述第1区域和所述第2区域;原料气体供给部,其为了使原料吸附在基板上而将所述原料以气体的状态作为原料气体向所述第1区域供给;处理空间形成构件,其相对于该台进行升降,以使得在位于所述第2区域的基板的周围形成与所述第1区域隔离开的处理空间;气氛气体供给部,其用于供给气氛气体,该气氛气体用于在所述处理空间内形成具有引起链式分解反应的浓度以上的浓度的臭氧的臭氧气氛;能量供给部,其用于通过向所述臭氧气氛供给能量来使所述臭氧强制地分解而产生氧的活性种,利用该活性种来使吸附在所述基板的表面上的原料氧化而获得所述氧化物;缓冲区域,其以与所述处理空间相连接的方式设置,并向该缓冲区域供给非活性气体,以便缓和所述臭氧的分解所导致的所述处理空间内的压力上升;以及划分机构,其用于在向所述处理空间供给所述气氛气体时将所述缓冲区域与该处理空间划分开,并在产生所述臭氧的分解时使所述缓冲区域与所述处理空间相连通。
地址 日本东京都