| 发明名称 | 发光设备 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种发光设备。该发光设备包括：n型氮化物半导体层；设置在n型氮化物半导体层上的活性层；设置在活性层上的p型氮化物半导体层；以及设置在p型氮化物半导体层上的扩散阻挡层。根据本实用新型的实施例，能够阻止Mg的外部扩散，并且能够提供一种包括具有低接触电阻且因此低的正向电压和高发光效率的p型氮化物半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN204927320U | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
| 申请号 | CN201520328294.0 | 申请日期 | 2015.05.20 |
| 申请人 | 首尔伟傲世有限公司 | 发明人 | 金玟奎;郑廷桓;金景海;郭雨澈 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 刘灿强;尹淑梅 |
| 主权项 | 一种发光设备，其特征在于，所述发光设备包括：n型氮化物半导体层；设置在n型氮化物半导体层上的活性层；设置在活性层上的p型氮化物半导体层；以及设置在p型氮化物半导体层上的扩散阻挡层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道安山市 | ||