发明名称 Nanostructures and nanofeatures with Si (111) planes on Si (100) wafers for III-N epitaxy
摘要 A fin over an insulating layer on a substrate having a first crystal orientation is modified to form a surface aligned along a second crystal orientation. A device layer is deposited over the surface of the fin aligned along the second crystal orientation.
申请公布号 GB201520313(D0) 申请公布日期 2015.12.30
申请号 GB20150020313 申请日期 2013.06.28
申请人 INTEL CORPORATION 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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