在半导体应用上的结晶处理

摘要

提供了一种用于在基板上形成结晶半导体层的设备与方法。半导体层是通过气相沉积形成的。执行脉冲激光熔融/再结晶工艺以将半导体层转化成结晶层。将激光或其它电磁辐射的脉冲形成为脉冲串并且在处理区的上方均匀分布，并且将连续的邻近处理区暴露给所述脉冲串，以渐进地将沉积材料转化成结晶材料。

主权项

一种处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：识别第一处理区；通过将所述第一处理区的表面暴露给第一激光脉冲和第二激光脉冲，形成所述第一处理区的熔融区域，其中所述第一激光脉冲和所述第二激光脉冲具有相同的持续时间和强度；在将所述第一处理区暴露给多个激光脉冲的同时，再结晶所述第一处理区的所述熔融区域，其中所述多个激光脉冲的每一脉冲熔融再结晶的区域的一部分；识别第二处理区，所述第二处理区与所述第一处理区相邻；以及对所述第二处理区重复进行形成熔融区域的步骤和再结晶所述熔融区域的步骤。