一种LED芯片的制作方法及一种LED芯片

摘要

本发明提供一种LED芯片的制作方法，包括以下步骤：1)在衬底材料上制作外延层，包括先制备N-GaN层，再制备P-GaN层；2)在外延层上干法刻蚀出相应晶粒图形，露出台阶和N型GaN层；3)在外延层上蒸镀形成透明导电层；4)在透明导电层上蒸镀金属P电极，在N-GaN层上蒸镀N电极；5)在晶圆表面整面蒸镀纯氧化铝作为钝化层，纯氧化铝钝化层的厚度为；6)通过光刻腐蚀工艺在氧化铝钝化层上露出P电极和N电极；7)晶圆减薄和切割裂片得到所述LED芯片。使用本发明方法制作LED芯片与传统LED芯片相比，可以大大提高LED芯片外量子效率，同时增加对外力的抵抗能力，起到更好的芯片保护作用。

主权项

一种LED芯片的制作方法，包括以下步骤：1)在衬底材料上制作外延层，包括先制备N‑GaN层，再制备P‑GaN层；2)在外延层上干法刻蚀出相应晶粒图形，露出台阶和N型GaN层；3)在外延层上蒸镀形成透明导电层；4)在透明导电层上蒸镀金属P电极，在N‑GaN层上蒸镀N电极；5)在晶圆表面整面蒸镀纯氧化铝作为钝化层，纯氧化铝钝化层的厚度为6)通过光刻腐蚀工艺在氧化铝钝化层上露出P电极和N电极；7)晶圆减薄和切割裂片得到所述LED芯片；在上述步骤中，步骤2)和步骤3)的顺序可以调换，且步骤4)和步骤5)的顺序也可以调换。