发明名称 |
一种低发散角的面发射量子级联激光器结构 |
摘要 |
本发明公开了一种低发散角的面发射量子级联激光器结构,其包括:衬底;下波导层,该下波导层生长在该衬底正面;下光限制层,该下光限制层生长在下波导层上;有源区,该有源区生长在下光限制层上;上光限制层,该上光限制层生长在该有源区上;光栅层,该光栅层制作于上光限制层的上,并且该光栅层具有二级分布反馈结构;上波导层,该上波导层生长在该光栅层上;亚波长金属光栅层,该亚波长金属光栅层制作于该衬底。本发明公开的上述方案用亚波长金属光栅结构对面发射量子级联激光器进行光束整形,既减小了波导方向的发散角又没有影响器件的倒装焊接。在中红外波段很容易激发等离子体波,且等离子体波的传播距离较远、吸收损耗较小。 |
申请公布号 |
CN103532013B |
申请公布日期 |
2015.12.30 |
申请号 |
CN201310503782.6 |
申请日期 |
2013.10.23 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
张锦川;姚丹阳;闫方亮;刘峰奇;王利军;刘俊岐;王占国 |
分类号 |
H01S5/18(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/18(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
宋焰琴 |
主权项 |
一种低发散角的面发射量子级联激光器结构,其包括:一衬底;一下波导层,该下波导层生长在该衬底正面;一下光限制层,该下光限制层生长在下波导层上;一有源区,该有源区生长在下光限制层上;一上光限制层,该上光限制层生长在该有源区上;一光栅层,该光栅层制作于上光限制层的上面,并且该光栅层具有二级分布反馈结构;一上波导层,该上波导层生长在该光栅层上;一亚波长金属光栅层,该亚波长金属光栅层制作于该衬底背面;其中,所述有源区发出TM偏振的中红外光波,与所述亚波长金属光栅相互作用激发等离子体波,使得部分光束的传播方向发生改变。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |