| 发明名称 |
Process for the production of silicon carbide layers having a high degree of purity and suitable for semi-conductor purposes |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB1127646(A) |
申请公布日期 |
1968.09.18 |
| 申请号 |
GB19650047791 |
申请日期 |
1965.11.10 |
| 申请人 |
VEB. HALBLEITERWERK FRANKFURT (ODER) |
发明人 |
POSER HELMUT |
| 分类号 |
C01B31/36;C04B41/50;C30B1/10 |
主分类号 |
C01B31/36 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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