| 摘要 |
1. Силовой полупроводниковый прибор с повышенной устойчивостью к динамической лавине, выполненный в виде многослойной полупроводниковой структуры n-n-р-рили n-р-n-р-ртипа, имеющей катодный nи анодный рэмиттеры разного диаметра, с поверхностной металлизацией и с фасками по периферии, соединенной с термокомпенсатором со стороны эмиттера с большим диаметром, отличающийся тем, что полупроводниковая структура со стороны эмиттера с большим диаметром имеет в центральной области, равной диаметру другого эмиттера, поверхностную концентрацию легирующей примеси на 2-7 порядков выше поверхностной концентрации легирующей примеси в периферийной области, при этом центральная область эмиттера с высокой поверхностной концентрацией примесей металлизирована четырехслойным покрытием алюминий-титан-никель-серебро, а периферийная область эмиттера с низкой поверхностной концентрацией примесей металлизирована трехслойным покрытием титан-никель-серебро.2. Силовой полупроводниковый прибор по п. 1, отличающийся тем, что в качестве термокомпенсатора используется диск из молибдена с нанесенным на одну сторону двухслойным покрытием никель-серебро.3. Силовой полупроводниковый прибор по пп. 1 или 2, отличающийся тем, что в качестве термокомпенсатора используется диск из металломатричного композиционного материала типа AlSiC.4. Силовой полупроводниковый прибор по пп. 1-3, отличающийся тем, что полупроводниковая структура соединена с термокомпенсатором низкотемпературной термокомпрессией. |
