| 摘要 |
1. Наноструктура для измерения, при воздействии на нее электромагнитного излучения, постоянного электрического тока Iдля использования в качестве эталона тока, при этом наноструктура сформирована на изолирующей подложке и включает нанопровод (1), электроды (2) с импедансом выше чем импеданс нанопровода, размещенные в 4-зондовой конфигурации и электрически соединенные с контактными площадками (3), опциональный электрод (4) для ввода внешнего излучения и опциональные заземляющие пластины (5).2. Наноструктура по п. 1, отличающаяся тем, что нанопровод (1) изготовлен из сверхпроводящего материала.3. Наноструктура по п. 2, отличающаяся тем, что поперечное сечение нанопровода (1) достаточно мало, чтобы обеспечить степень квантовых флуктуаций, сопоставимую с энергетической щелью сверхпроводника, из которого изготовлен нанопровод (1).4. Наноструктура по любому из пп. 1-3, отличающаяся тем, что материал нанопровода (1) представляет собой сверхпроводник с параметрами, обеспечивающими степень квантовых флуктуаций, сопоставимую с энергетической щелью сверхпроводника в пределах технологически достижимых малых поперечных сечений нанопровода (1).5. Наноструктура по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что материал нанопровода (1) представляет собой неупорядоченный сверхпроводник, обеспечивающий образование одномерной цепочки переходов Джозефсона.6. Наноструктура по любому из пп. 1-3, отличающаяся тем, что электроды (2) изготовлены из высокоомного материала.7. Наноструктура по любому из пп. 1-3, отличающаяся тем, что электроды (2) включают охлаждающие ребра на чипе.8. Наноструктура по любому из пп. 1-3, отличающаяся тем, что электроды (2) изготовлены из од |
