发明名称 СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ИМПУЛЬСНЫМ РЕЖИМОМ ГЕНЕРАЦИИ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ЛАЗЕРНОЙ УСТАНОВКЕ НА ОСНОВЕ ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРА НА КРИСТАЛЛЕ ND:YAG С ДИОДНОЙ НАКАЧКОЙ АКТИВНОЙ СРЕДЫ
摘要 1. Способ управления импульсным режимом генерации лазерного излучения в лазерной установке на основе твердотельного лазера на кристалле Nd:YAG с диодной накачкой активной среды, содержащих лазерный диод, амплитудный модулятор лазерного излучения, а также блок управления амплитудным модулятором и питанием лазерного диода, состоящий в первоначальном задании посредством блока управления амплитудным модулятором и питанием лазерного диода режима холостого тока лазерного диода при открытом амплитудном модуляторе, причем величина холостого тока не превышает величины порогового значения, последующем включении рабочего импульсного режима питания лазерного диода для накачки активной среды, включении параллельно с режимом питания лазерного диода импульсного режима работы амплитудного модулятора, при этом в импульсе режима работы амплитудного модулятора обеспечены предварительная подготовка модулятора к подаче управляющего напряжения и дальнейшее включение модулятора от управляющего напряжения, причем подача импульсного низкочастотного управляющего напряжения на амплитудный модулятор от блока управления амплитудным модулятором в пределах импульса осуществлена с временной задержкой относительно включения питания лазерного диода отличающийся тем, что подачу на амплитудный модулятор импульсного низкочастотного управляющего напряжения относительно включения питания лазерного диода в импульсе обеспечивают с временной задержкой Δt, определяемой из условия Δt≥ Δt=100(11-5α)t, где Δt- минимальное время задержки включения амплитудного модулятора, t- время жизни активного центра лазерной среды на верхнем уро�
申请公布号 RU2014124035(A) 申请公布日期 2015.12.27
申请号 RU20140124035 申请日期 2014.06.16
申请人 Общество с ограниченной ответственностью "МеЛСиТек" 发明人 Еремейкин Олег Николаевич;Савикин Александр Павлович
分类号 H01S3/0941;H01S3/136 主分类号 H01S3/0941
代理机构 代理人
主权项
地址