| 摘要 |
1. Мощный переключатель СВЧ, содержащий подложку, на которой последовательно размещены: буферный слой AlN, буферный слой из GaN, буферный слой из нелегированного GaN i-типа проводимости, кроме того, переключатель СВЧ содержит двумерный электронный газ высокой плотности, который служит нижней обкладкой конденсатора, сглаживающий слой из нитрида галлия, слой диэлектрика из двуокиси гафния, металлические электроды полосковой формы, которые образуют верхнюю обкладку конденсатора, и два конденсатора, образующих двойные ВЧ-ключи, отличающийся тем, что на буферном слое из нелегированного GaN i-типа проводимости последовательно размещены сверхрешетка из AlGaN/GaN, буферный слой из GaN, сильнолегированный слой n-типа проводимости из AlGaN, спейсер из AlGaN, сглаживающий слой, канал из GaN, сглаживающий дополнительный слой, спейсер из AlGaN, сильнолегированный слой AlGaN, слой из GaN, слой диэлектрика из двуокиси гафния и дополнительный слой диэлектрика, при этом переключатель выполнен с минимальным количеством глубоких электронных ловушек DX, а канал легирован с двух сторон, а двумерный электронный газ образован между каналом и слоем из AlGaN.2. Переключатель по п. 1, отличающийся тем, что дополнительный слой из диэлектрика выполнен из AlO, или ZrO, или LaO, или YO.3. Переключатель по п. 1, отличающийся тем, что подложка выполнена из изолирующего теплопроводящего CVD поликристаллического алмаза. |
