Elektrochemische Abscheidungsprozesse für Halbleiterwafer

摘要

Ein Verfahren zur Elektroplattierung eines Wafers erfasst ein Versagen eines Plattierungsbads basierend auf einer Spannungsänderung. Das Verfahren ist nützlich beim Plattieren von Wafern mit TSV-Strukturen. Die Spannung einer jeden Anode eines Plattierungsgeräts kann überwacht werden. Ein plötzlicher Abfall in der Spannung signalisiert ein Badversagen, das aus der Umwandlung eines Beschleunigers, wie SPS, in sein Nebenprodukt MPS herrührt. Ein Badversagen kann durch eine Stromtaktung oder einen Stromhochlauf verzögert oder verhindert werden. Ein verbessertes Plattierungsbad hat einen Katholyt mit einer sehr geringen Säurekonzentration.