发明名称 半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置
摘要 少なくともSiO2と、B2O3と、Al2O3と、CaO、MgO及びBaOのうち少なくとも2つのアルカリ土類金属の酸化物とを含有し、かつ、Pbと、Asと、Sbと、Liと、Naと、Kと、Znとを実質的に含有しないことを特徴とする半導体接合保護用ガラス組成物。本発明の半導体接合保護用ガラス組成物によれば、鉛を含まないガラス材料を用いて、従来の「珪酸鉛を主成分としたガラス材料」を用いた場合と同様に、高耐圧の半導体装置を製造することが可能となる。また、Znを実質的に含有しないことから、耐薬品性(特に耐フッ酸性)が高くなり、高信頼性の半導体装置を製造することが可能となる。また、シリコン酸化膜をエッチング除去する工程などでガラス層をレジストで保護する必要がなくなるため、工程を簡略化できるという効果も得られる。
申请公布号 JPWO2013168238(A1) 申请公布日期 2015.12.24
申请号 JP20120549168 申请日期 2012.05.08
申请人 新電元工業株式会社 发明人 伊東 浩二;小笠原 淳;伊藤 一彦;六鎗 広野
分类号 H01L21/316;C03C8/02;H01L21/329;H01L29/861;H01L29/868 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
主权项
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