半導体パッケージ

摘要

積層セラミック基板（１）上に金属製リング（２）が設けられている。積層セラミック基板（１）上において金属製リング（２）内に半導体レーザ（６）が設けられている。ガラス窓（９）付きの金属製キャップ（１０）が金属製リング（２）に接合されている。金属製リング（２）は半導体レーザ（６）を覆う。金属製キャップ（１０）の外側面に外部ヒートシンク（１１）が接合されている。これらの構成により、高周波特性、生産性、及び放熱性を向上させることができる。